特許
J-GLOBAL ID：200903001855013004

半導体ウェーハの研削方法

発明者：
荒井 一尚

荒井 一尚 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339362
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164546
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハ、特に表面にバンプが形成されている半導体ウェーハの裏面の研削において、バンプの影響を排除して半導体ウェーハの割れを防止すると共に、ペレットの品質を低下させず、自然環境を汚染しないようにする。【解決手段】 無数の気孔が少なくとも表面に形成され弾性による復元力と密着性とで押圧した際に気孔が潰れ負圧が生じて吸着力を有する所定の厚さからなる弾性パッド13を半導体ウェーハ10の表面12に装着してバンプを弾性パッド13内に埋没させ、研削装置のチャックテーブルに、弾性パッド13を下にして半導体ウェーハ10を載置し、回転する研削砥石による押圧力を加えて半導体ウェーハ10の裏面を研削する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの裏面を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、無数の気孔が少なくとも表面に形成され弾性による復元力と密着性とで押圧した際に気孔が潰れ負圧が生じて吸着力を有する所定の厚さからなる弾性パッドを半導体ウェーハの表面に装着する工程と、研削装置のチャックテーブルに、該弾性パッドを下にして該半導体ウェーハを載置する工程と、該チャックテーブルに対峙して配設される研削手段によって該半導体ウェーハの裏面を所定の厚さに研削する工程と、研削が終了した後、該半導体ウェーハの表面から該弾性パッドを剥離する工程とから少なくとも構成される半導体ウェーハの研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622
FI (2件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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