半導体装置及び半導体装置実装構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007079
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211722
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体チップ上の微細なバンプ電極の高さを高くし、形成するバンプ電極の材料構成を適切化することにより、信頼性を向上させる。【構成】半導体チップのボンディングパッド4上に形成された金属薄膜と、この金属薄膜5上に突出して形成された、第1の金属層6及び第2の金属層7からなるバンプ電極とを具備し、前記第2の金属層は、10-4〜40重量%の炭素、10-4〜30重量%の硫黄、及び10-4〜10重量%の酸素を含有することを特徴とする半導体装置。この半導体装置は、回路配線基板の電極パッド10にフリップチップ実装される。

請求項（抜粋）：

半導体チップのボンディングパッド上に形成された金属薄膜と、この金属薄膜上に突出して形成された、第1の金属層及び第2の金属層からなるバンプ電極とを具備し、前記第2の金属層は、10-4〜40重量%の炭素、10-4〜30重量%の硫黄、及び10-4〜10重量%の酸素を含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 D , H01L 21/92 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338013 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-133330
特開昭59-121955

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審査官引用 (11件)

半導体装置の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338013 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-133330
特開平4-133330

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