特許

J-GLOBAL ID：200903001903152798

発光素子および照明装置

発明者： 亀井 英徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125916
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311072
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】短波長で発光効率の高い発光素子および照明装置を実現することを目的とする。【解決手段】p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層13と、前記半導体層のp側もしくはn側に位置する導電性の基板11と、半導体層と基板との間に位置し、基本的に不純物をドープしないことにより基板と半導体層とに比べて高抵抗とした反射層12とを備えるように構成したものである。したがって、反射層及び反射層の上に積層する半導体層等の結晶性を良くすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記半導体層のp側もしくはn側に位置する導電性の基板と、半導体層と基板との間に位置し、基板と半導体層とに比べて高抵抗の反射層とを備えた発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-233001   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-199717   出願人：サンケン電気株式会社