特許
J-GLOBAL ID：200903085043240332
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199717
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017742
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る低抵抗性基体11の上に低屈折率領域12aと高屈折率領域12bとを交互に複数層形成したDBR層12を設ける。DBR12を反射性、導電性及びバッファ機能を有する層とする。DBR層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域14、窒化ガリウムインジウムから成る発光層15、窒化ガリウムから成るp形半導体領域16を順次に形成する。p形半導体領域16の上に透明電極18を設け、低抵抗性基体11にカソード電極20を設ける。
請求項（抜粋）：
低抵抗率を有している半導体基体と、前記基体の一方の主面上に形成された導電性を有する反射領域と、発光機能を有するものであって前記反射領域の上に形成され、且つ主成分としてガリウムと窒素とを含む化合物半導体層を複数有している半導体領域と、前記半導体領域の表面上に形成された第1の電極と、前記基板の他方の主面形成された第2の電極と、を備え、前記反射領域は、相対的に低い屈折率を有する低屈折率領域と前記低屈折率領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する高屈折率領域とから成り、前記高屈折率領域はインジウムを含む窒化物系化合物半導体から成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB02
, 5F041CB15
, 5F041DA07
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF16
, 5F045BB08
, 5F045CA11
, 5F045DA52
, 5F045DA55
, 5F045DA64
, 5F045EB14
, 5F045EE12
