特許
J-GLOBAL ID：200903060072678654
窒化物半導体発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233001
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060719
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い発光出力の良好な、発光ピーク波長が380nm以下の紫外領域に発光する窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 転位密度が106/cm2以下の窒化物半導体基板1上に、発光ピーク波長が380nm以下の窒化物半導体からなる素子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
転位密度が106/cm2以下の窒化物半導体基板上に、発光ピーク波長が380nm以下の窒化物半導体からなる素子構造を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。
Fターム (25件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA41
, 5F041CA42
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA56
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA84
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041FF15
