特許
J-GLOBAL ID：200903001937659174

膜ろ過性能の検知方法、検知装置、膜ろ過方法および膜ろ過装置

発明者：
深田 尚平

深田 尚平 について

, 
松本 幹治

松本 幹治 について

, 
中村 一穂

中村 一穂 について


出願人/特許権者：
JFEエンジニアリング株式会社

JFEエンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171256
公開番号（公開出願番号）：特開2005-351707
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 精密ろ過または限外ろ過による固液分離処理において、ろ過の継続に伴い発生する膜ファウリングを防止するため、連続的に膜のζ電位およびろ過抵抗の少なくとも1つを検知して膜の評価を行い、膜ファウリング防止のために物理洗浄方法または被処理水の前処理を実施し、最適な膜ろ過運転を実現する。【解決手段】 流動電位法によってろ過過程におけるろ過膜のζ電位を、被処理水温度センサ11、被処理水電気伝導度センサ12、被処理水圧力センサ13、ろ過水流量センサ17によって連続測定し、物理洗浄過程におけるろ過膜のζ電位を、逆洗水温度センサ14、逆洗水電気伝導度センサ15、逆洗水圧力センサ16、逆洗排水流量センサ18によって連続測定し、これらの測定値をデータ処理装置19に送って、ろ過過程と物理洗浄過程のζ電位の差と、ろ過過程および物理洗浄過程それぞれのζ電位の変化とをモニタリングすることにより、ろ過膜の汚染および洗浄効果の状態を検知し、かくして、刻々と変化する膜性能を評価して、膜性能の低下を防止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
流動電位法によってろ過過程および物理洗浄過程におけるろ過膜のζ電位を連続測定し、前記ろ過過程と前記物理洗浄過程の前記ζ電位の差と、前記ろ過過程および前記物理洗浄過程それぞれの前記ζ電位の変化とをモニタリングする方法、および、前記ろ過過程および前記物理洗浄過程におけるろ過膜のろ過抵抗を連続測定し、前記ろ過過程と前記物理洗浄過程の前記ろ過抵抗の差と、前記ろ過過程および前記物理洗浄過程それぞれの前記ろ過抵抗の変化とをモニタリングする方法の少なくとも1つの方法により、前記ろ過膜の汚染および洗浄効果の状態を検知することを特徴とする、膜ろ過性能の検知方法。
IPC (4件)：
G01N27/26 ,  B01D61/20 ,  B01D65/02 ,  B01D65/10
FI (4件)：
G01N27/26 P ,  B01D61/20 ,  B01D65/02 ,  B01D65/10
Fターム (9件)：
4D006GA06 ,  4D006GA07 ,  4D006KA43 ,  4D006KC03 ,  4D006KD08 ,  4D006KD21 ,  4D006KD24 ,  4D006KE30P ,  4D006LA06
引用特許：
出願人引用 (2件)

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