微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-234578
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049171
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】高移動度の微結晶薄膜を有する薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を提供する。【解決手段】画像表示装置は気相中で結合した場合に多数の原子が重合することによってポリマーを形成する元素を含有する第1原料気体と、気相中でポリマーを形成することのない第2原料とを用いてプラズマCVD法によって微結晶を成膜した薄膜トランジスタを備える。具体的には、特定の流量比rで第1原料気体および第2原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第1原料気体の供給を停止して第2原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質のものに成膜する。図1において、実線で示すタイミングチャートはSiH4の供給量について示し、破線で示すタイミングチャートはH2の供給量について示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えた画像表示装置であって、前記少なくとも1つの薄膜トランジスタはそれぞれ、基板と、前記基板上のゲート電極と、前記基板および前記ゲート電極上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース/ドレインとを備え、前記チャネル層は少なくともその一部の領域にわたって実質的に非晶質を含まない微結晶薄膜で構成され、前記チャネル層を構成する微結晶薄膜は、気相中で複数結合した場合にポリマーを形成する元素を含む第1原料気体を活性化して、成膜対象上に前記元素を主成分とする微結晶構造を成膜する微結晶薄膜の成膜方法であって、前記第1原料気体を供給する原料供給工程と、前記第1原料気体の供給を停止し、気相中の結合を抑制しつつ活性化された前記第1原料気体を成膜対象上に堆積させる原料堆積工程とを交互に繰り返すこと、前記原料供給工程および前記原料堆積工程において、気相中で互いに結合した場合にポリマーを形成しない第2原料気体を供給すること、および前記原料供給工程において、前記第1原料気体と前記第2原料気体との流量比rは、前記第1原料気体と前記第2原料気体に照射される電界強度密度P(mW/cm2)を用いた以下の不等式 P≧60mW/cm2のとき、r≧-(7/12)×P+72.5 P<60mW/cm2のとき、r≧-2×P+185 を満たす微結晶薄膜の成膜方法により成膜されたものであることを特徴とする画像表示装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/78 618A , H01L21/205 , H01L29/78 618Z

Fターム (43件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107EE04 , 5F045AA07 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045BB12 , 5F045CA15 , 5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2762968号明細書
薄膜トランジスタおよび半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-291847 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-311558 出願人：奇美電子股ふん有限公司
特開平4-266019
特開平4-266019

引用文献：

審査官引用 (2件)

"Thin Film Transistors based on microcrystalline silicon on polyimide substrates"
"Thin Film Transistors based on microcrystalline silicon on polyimide substrates"

前のページに戻る