特許

J-GLOBAL ID：200903029883948150

薄膜トランジスタおよび半導体膜の製造方法

発明者： 糸賀 隆志 ,  藤原 正樹 ,  中田 行彦 ,  松尾 拓哉 ,  緒方 秀武
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291847
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148690
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 高移動度である半導体膜を、スループットを大きくして形成できるようにする。【構成】 TFTの半導体層104が、絶縁膜103から厚さ500オングストローム以内の部分に、基板101面に対して{111}配向性を有する結晶粒が多く、または波長400nmの光の吸収係数の値が3.7×105cm-1以下である微結晶相を含んでいる。このμc-Si膜は、a-Siの成膜と水素プラズマ処理とを繰り返して形成し、または水素希釈率200以上で形成したSi膜上に、水素希釈率2〜100に変更して成膜を続けることにより形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極、絶縁膜および半導体膜が基板側からこの順にまたは逆の順に形成され、該半導体膜が、絶縁膜から厚さ500オングストローム以内の少なくとも一部分に、基板面に対して{111}配向性を有する結晶粒が多いシリコン微結晶相を含むシリコン膜からなる薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超伝導ジョセフソン素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261935   出願人：郵政省通信総合研究所長
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251984   出願人：シャープ株式会社