特許
J-GLOBAL ID：200903001951065058
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262023
公開番号（公開出願番号）：特開2006-078727
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】透明基板上に半透明位相シフト層、レジスト層を順次、積層する工程と、レジスト膜に必要とするメインパターンとアライメントマークを形成する工程と、レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングして、必要とする半透明位相シフト膜を形成する工程と、遮光層を形成する工程と、レジスト層を積層し、所定の形状のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングして、遮光膜パターンを形成する工程とを少なくとも有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に半透明位相シフト膜と遮光膜とを順次、その順番に積層してなるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
(a)透明基板上に半透明位相シフト層、第1レジスト層を順次、積層する工程と、
(b)第1レジスト層を所定の形状にパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の第1レジスト膜を形成する工程と、
(c)パターンニングされた第1レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングによってパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
(d)第1レジスト膜を剥離する工程と、
(e)アライメントマーク配置領域より内側であってメインパターン有効領域の全面を覆う遮光層を形成する工程と、
(f)第2レジスト層を積層する工程と、
(g)第2レジスト層を所定の形状にパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の第2レジスト膜を形成する工程と、
(h)パターンニングされた第2レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングによってパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
(i)第2レジスト膜を剥膜する工程と、
を少なくとも有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BB06
, 2H095BC04
, 2H095BC24
, 2H096AA24
, 2H096EA12
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096LA01
