特許

J-GLOBAL ID：200903001972979580

成膜装置及び成膜方法

発明者： 杉浦 正仁 ,  神力 博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087244
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 金属含有原料ガスの噴射領域を狭くしてこの噴射速度を高めることにより、膜中に含まれる反応副生成物の量を抑制して絶縁耐圧特性等を向上させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】 金属含有原料ガスと酸化性ガスとを処理容器16内の天井部に設けたシャワーヘッド部60へ供給し、前記両ガスを前記シャワーヘッド部の下面のガス噴射面66に設けた原料ガス噴射孔68及び酸化性ガス噴射孔70からそれぞれ前記処理容器内へ導入して、前記処理容器内の載置台30上に載置された被処理体Wの表面に金属含有膜を形成する成膜装置において、前記原料ガス噴射孔の形成領域86を、前記載置台上の被処理体の上面に対応する面積84Wよりも小さく設定して前記原料ガス噴射孔からの前記金属含有原料ガスの噴射速度を高める。これにより、金属含有原料ガスの噴射領域を狭くしてこの噴射速度を高め、膜中に含まれる反応副生成物の量を抑制して絶縁耐圧特性等を向上させる。

請求項（抜粋）：

金属含有原料ガスと酸化性ガスとを処理容器内の天井部に設けたシャワーヘッド部へ供給し、前記両ガスを前記シャワーヘッド部の下面のガス噴射面に設けた原料ガス噴射孔及び酸化性ガス噴射孔からそれぞれ前記処理容器内へ導入して、前記処理容器内の載置台上に載置された被処理体の表面に金属含有膜を形成する成膜装置において、前記原料ガス噴射孔の形成領域を、前記載置台上の被処理体の上面に対応する面積よりも小さく設定して前記原料ガス噴射孔からの前記金属含有原料ガスの噴射速度を高めるようにしたことを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B

Fターム (36件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA20 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EM03 ,  5F045EM05 ,  5F045EM10 ,  5F045GB17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336082   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• 基板処理装置および基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174651   出願人：アネルバ株式会社