特許
J-GLOBAL ID：200903075885179407
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174651
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025586
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 基板面を均一に処理することが可能な、基板処理装置を提供すること。【構成】 RIE装置100は、真空容器12、基板支持電極14から成る基板支持機構、対向電極16およびガス供給系16から成るガス導入機構から主として構成されている。ここで、基板支持電極14は真空容器12の外部で、高周波電源20と接続している。また、対向電極16とガス供給系18とはガス導入路22を介してつながっており、対向電極16にはシャワーヘッドが設けられている。また、基板支持面14aとシャワーヘッド24のガス導入面24aとは、対向しており、シャワーヘッド24のガス導入面22aと基板支持面14aに支持される基板10との間隔は50mmである。そして、ガス導入面24aの外径、すなわちシャワーヘッド24の外径W2 は基板支持面14aに支持される基板10の外径W1 より小さい。
請求項（抜粋）：
内部を減圧状態に保持できる真空容器と、該真空容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入機構と、基板を支持する基板支持機構とを具え、前記ガス導入機構が有するガス導入面と前記基板支持機構が有する基板支持面とが前記真空容器の内部で対向している基板処理装置において、前記ガス導入面の外径が、前記基板支持面に支持される基板の外径より小さいことを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
C23F 4/00
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
C23F 4/00 A
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/302 C
