特許

J-GLOBAL ID：200903001987110912

酸化物トランジスタ及びその製造方法

発明者： 椎野 修
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-130149
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305658
出願日： 2006年05月09日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】In-Ga-Zn-O膜を用いた酸化物トランジスタを低コストで効率的に製造することを目的とする。【解決手段】ソース電極4、ドレン電極4及びゲート電極2の3つの電極、チャネル層6及びゲート絶縁膜3の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn-Ga-Zn-O膜で形成した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn-Ga-Zn-O膜で形成したことを特徴とする酸化物トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/316

FI (12件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 Y

Fターム (60件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD42 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF29 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL07 ,  5F103PP11 ,  5F103RR08 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-179227   出願人：カシオ計算機株式会社, 財団法人高知県産業振興センター
• アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258270   出願人：キヤノン株式会社