膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179227
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005116
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。【解決手段】成膜室124内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットA,Bに、DC電圧を印加し、両ターゲットA,B間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットA,BのZn粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にZnO膜を形成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

対向して配置された、少なくともその一方が導電性亜鉛金属を含む一組のターゲットの間にプラズマを発生させ、発生したプラズマで生成された粒子により前記一組のターゲットをスパッタリングし、スパッタリングされた亜鉛粒子を酸化するとともに、生成した酸化亜鉛を含む生成物を、前記プラズマから離間された位置に堆積して半導体膜を形成する、ことを特徴とする膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/363 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/363 , C23C14/08 C , C23C14/34 N , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z

Fターム (43件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC16 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103NN06 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110PP01 , 5F110PP26

引用特許：

出願人引用 (1件)

透明導電膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-248021 出願人：旭硝子株式会社

審査官引用 (7件)

透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039968 出願人：旭硝子株式会社
特開平3-162571
特開平3-162571

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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