特許

J-GLOBAL ID：200903084866550098

アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ

発明者： 林 享 ,  薮田 久人 ,  遠藤 文徳 ,  安部 勝美 ,  佐野 政史 ,  雲見 日出也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258270
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073701
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 ゲート絶縁膜を低コストで大面積に成膜することが困難である。高誘電率絶縁膜を結晶方位や、多結晶粒径を均一にし、安定性や信頼性を向上することは困難である。【解決手段】 In-M-Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を、ゲート絶縁膜3として用いる、もしくは抵抗層として半導体層とゲート絶縁膜との間に用いる。チャネルを構成する半導体層としてIn-M-Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1010Ω・cm未満であり、アモルファス酸化物絶縁膜のバンドギャップが半導体層のバンドギャップよりも大きい。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

少なくとも、基板と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、 前記ゲート絶縁膜が、Inと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種と、を含み、 その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 617T ,  H01L21/316 Y ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617V

Fターム (33件)：

5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-187217   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-117532   出願人：富士通株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道