特許
J-GLOBAL ID:200903002020451422

電界電子放出型サージ吸収素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 奥田 弘之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-254167
公開番号(公開出願番号):特開2001-078355
出願日: 1999年09月08日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 電子放出部としてカーボンナノチューブを採用することで、動作電圧を比較的低く設定することが可能な電界電子放出型サージ吸収素子の実現。【解決手段】 第1の基板部材11と第2の基板部材12とを対向配置し、両基板部材11,12の対向面周縁を気密封止して外囲器14を形成し、該外囲器14内を高真空状態となすと共に、第1の基板部材11及び第2の基板部材12の対向面にそれぞれ電子放出部18,18を形成し、両電子放出部18,18が所定の間隙を隔てて対向するよう配置し、両基板部材18,18の外面に外部電極23,24を形成した電界電子放出型サージ吸収素子10において、上記電子放出部18,18を、半導体より成る多数のエミッタ・コーン及15び該エミッタ・コーン15の表面に形成された多数のカーボンナノチューブ17とで構成した。
請求項(抜粋):
半導体よりなる第1の基板部材と第2の基板部材とを対向配置し、両基板部材の対向面周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態となすと共に、上記第1の基板部材の対向面及び第2の基板部材の対向面の少なくとも一方に電子放出部を形成し、当該電子放出部と他方の基板部材の内面あるいは電子放出部との間に所定の間隙を形成し、さらに両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなる電界電子放出型サージ吸収素子において、上記電子放出部を、半導体より成る多数のエミッタ・コーン及び該エミッタ・コーンの表面に形成された多数のカーボンナノチューブとで構成したことを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。
IPC (5件):
H02H 9/04 ,  H01T 4/12 ,  H02H 7/20 ,  H02H 9/06 ,  H01J 1/304
FI (5件):
H02H 9/04 A ,  H01T 4/12 F ,  H02H 7/20 A ,  H02H 9/06 ,  H01J 1/30 F
Fターム (8件):
5G013AA02 ,  5G013AA05 ,  5G013CB02 ,  5G013CB21 ,  5G013DA05 ,  5G053AA10 ,  5G053CA05 ,  5G053FA06
引用特許:
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る