特許
J-GLOBAL ID：200903002029912961

低抵抗接点半導体ダイオード

発明者：
アシユレイ,テイモシー

アシユレイ,テイモシー について

, 
プライス,グラハム・ジヨン

プライス,グラハム・ジヨン について


出願人/特許権者：
イギリス国

イギリス国 について


代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-520270
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501238
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】従来技術のデバイス中で通常見られる高度にドープされたp型材料(2)の層が、高度にドープされたn型材料(11)の層と、高度にドープされたp型材料(2)の薄い層で置き換えられ、それによって低抵抗接点、このデバイスによって生成される放射に対する透明性、およびレーザデバイスによって生成される放射の損失の少ない閉じ込めを容易にする。
請求項（抜粋）：
高度にドープされたn型材料の第一層との接合を形成するp型またはn型材料の活性層と、他の層、p型またはn型材料の前記活性層に隣接する又はそれから分離された高度にドープされたp型材料の層に隣接する高度にドープされたn型材料の第二層と、高度にドープされたn型材料の第二層を介して、高度にドープされたp型材料に隣接する層に電気接点を提供する手段とを含む、デバイスに電気接点を提供する手段とを備える半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/43 ,  H01S 5/32
FI (4件)：
H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 672 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/46 G
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平1-239975
  • 特開平4-179279
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241473   出願人：セイコーエプソン株式会社
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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