特許

J-GLOBAL ID：200903002087393303

GaAs単結晶及びその製造方法並びにその製造装置

発明者： 山田 剛 ,  鳥羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093202
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281500
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 結晶中の炭素濃度として、高い炭素濃度が要求される場合であっても、結晶上端部で炭素濃度が目標値に設定されたGaAs単結晶を短時間に製造することができるようにする。【解決手段】 結晶原料が融解した後、結晶成長を開始する前に、高圧引上げ炉11内にC0ガスを供給しながら、攪拌治具21によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するCOの混入を促進する。

請求項（抜粋）：

るつぼに収容された結晶原料と封止剤とを炉内で加熱することによって融解し、原料融液を封止剤融液で覆った状態で、前記原料融液に種結晶を接触させて、前記原料融液を回転させつつ引き上げながら冷却固化することによってGaAs単結晶を製造する方法であって、前記結晶原料が融解した後、前記GaAs単結晶を引き上げる前に、前記炉内に一酸化炭素ガスを供給し、この状態で、前記封止剤溶液を攪拌することにより、一酸化炭素を前記封止剤融液へ混入させることを特徴とするGaAs単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/42 ,  C30B 15/04 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/42 ,  C30B 15/04 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P

Fターム (26件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EJ07 ,  4G077PA03 ,  4G077PA13 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053BB01 ,  5F053BB02 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB12 ,  5F053BB14 ,  5F053BB35 ,  5F053BB60 ,  5F053DD03 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH10 ,  5F053KK07 ,  5F053LL10 ,  5F053RR01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaAs単結晶及びその製造方法並びにGaAsウェハのイオン打込み制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-212779   出願人：日立電線株式会社
• GaAs単結晶の製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-181161   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭62-230694
  
• 特開昭62-230694