特許

J-GLOBAL ID：200903002087666423

半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体基板の製造方法

発明者： 萬濃 正也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304570
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110569
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 成長する窒化物単結晶膜と異種材料基板の熱膨張係数差によって生じる亀裂、反りを抑え、欠陥の導入を抑制する。【解決手段】 シリコン基板11上にSiNマスク12を形成し、シリコン基板11をウエットエッチングして台形溝を形成する。次に、1000°C程度に加熱された酸化炉にシリコン基板11を配置し、エッチング保護膜としてのシリコン酸化膜13を台形溝の表面に形成する。その後、MOVPE法により緩衝層14、GaN層15を順次形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の一部分にマスク材を形成する工程と、前記基板の前記マスク材のない部分に凹部を形成する工程と、前記基板を酸化させて前記凹部上に保護膜を形成する工程と、前記マスク材を除去する工程と、前記基板の前記マスク材が除去された領域上に選択的に半導体膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (51件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045HA04 ,  5F045HA13 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-125459
  
• エピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-030885   出願人：ローム株式会社
• 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122378   出願人：住友電気工業株式会社