任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比/深いエッチングの側壁平滑化

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 高松武生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-529341
公開番号（公開出願番号）：特表2006-507664
出願日： 2003年08月13日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

本発明は、ガスを交互プラズマエッチング/デポジション室に導入する改良された方法を提供する。デポジション及びエッチングガス供給装置がオン及びオフにスイッチされた時、交互エッチング/デポジション室への圧力パルスの導入を最小にするために、マスフローコントローラーを用いて、相対的に一定のガス流量を供給する。交互エッチング/デポジション室へのガス導入口が閉じられた時、マスフローコントローラーからガスの流れに代替経路を提供するように、ガスのバイパス又はガスの排出口を設けてある。バイパス又は排出口の設置は、マスフローコントローラーから受け入れるガスの圧力を実質的に一定の水準に維持する。ガスの圧力パルスの消滅又は最小化は、交互エッチング/デポジション室でシリコン基板にエッチングした高アスペクト比機構を有する壁の平滑性を高めることに役立つ。

請求項（抜粋）：

改良されたガススイッチング装置であって、プラズマ室、前記プラズマ室内にプラズマを発生させる少なくとも1つのプラズマ源、前記プラズマ室内に配置された基板ホルダー、前記プラズマ室にエッチングガスを供給するための関連ガス導入口及び前記エッチングガスを排出するための関連ガスバイパスを設けたエッチングガス供給装置、前記プラズマ室にデポジションガスを供給するための関連ガス導入口及び前記デポジションガスを排出するための関連ガスバイパスを設けたデポジションガス供給装置、及び前記エッチングガス供給装置及び前記デポジションガス供給装置の少なくとも1つを制御するガスコントロールスイッチであって、前記の少なくとも1つのガス供給装置の前記ガス導入口及び前記ガスバイパスが、前記ガス導入口が閉じられた時にガスの流れが室をバイパスするように、構成されているガスコントロールスイッチを具備する装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , B81C 1/00 , B81C 5/00

FI (3件)：

H01L21/302 105A , B81C1/00 , B81C5/00

Fターム (13件)：

5F004BA14 , 5F004BC02 , 5F004BC03 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004EA13 , 5F004EA37 , 5F004EB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-050923
半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206672 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
基板処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110490 出願人：松下電子工業株式会社

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