レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097649
公開番号（公開出願番号）：特開2004-004697
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【解決手段】一般式(1)に示される繰り返し単位k及びmを含む高分子化合物(i)と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物(ii)とを含むするレジスト材料。 (R1、R2は水素原子又は酸不安定基であり、0<k<1、0<m<1、0<k+m≦1。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における透明性に優れる樹脂(i)と、アルカリ溶解のコントラストが優れている樹脂(ii)のブレンドをベース樹脂として用いることによりレジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)に示される繰り返し単位k及びmを含む高分子化合物(i)と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物(ii)とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (2件)：

G03F7/039 , H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (18件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (7件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-056564 出願人：JSR株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-124021 出願人：信越化学工業株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-030530 出願人：信越化学工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Synthesis of Novel Fluoropolymer for 157nm Photore
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