特許
J-GLOBAL ID：200903002100104413
集積化電子装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-270389
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026609
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】 ミクロン級、あるいは、サブミクロン級の微細機能デバイス構造体をシステム基盤上に集積化してシステムを構築する集積化電子装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1のプロセスにより基板に作製された、複数の入出力電極を有する機能デバイスが、基板から切り離されて形成された機能構造体21と、機能構造体21を搭載する領域13と、複数の入出力電極に接続される複数の入出力電極とを有し、第2のプロセスにより作製された基盤構造体10と、基盤構造体10の複数の入出力電極と機能構造体21の対応する複数の入出力電極とを接続する、ビーム励起反応堆積により形成された配線とを備える。機能構造体21は、配線の経路中の段差が抑制された形状を有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1のプロセスにより基板(20)に作製された、複数の入出力電極(21B)を有する機能デバイス(21A)が、前記基板(20)から切り離されて形成された機能構造体(21)と、
前記機能構造体(21)を搭載する領域(13)と、前記複数の入出力電極(21B)に接続される複数の入出力電極(13A)とを有し、第2のプロセスにより作製された基盤構造体(10)と、
前記基盤構造体(10)の前記複数の入出力電極(13A)と前記機能構造体(21)の対応する前記複数の入出力電極(21B)とを接続する、ビーム励起反応堆積により形成された配線とを備え、
前記機能構造体(21)は、前記配線の経路中の段差が抑制された形状を有することを特徴とする集積化電子装置。
IPC (5件)：
H01L27/00
, G01N13/10
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L27/00 301C
, G01N13/10 A
, H01L25/08 Z
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
