半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175598
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高出力及び長寿命の半導体レーザ装置を提供する【構成】 n型GaAs基板上にInGaAs井戸層とAlGaAs障壁層からなる歪量子井戸構造の活性層5を含む半導体層が形成されている。特に、この前記活性層5の不純物濃度は2×1017cm-3以下が望ましい。

請求項（抜粋）：