特許
J-GLOBAL ID：200903002118038434
半導体ウエハーの研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007150
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279480
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハーの研磨効率を向上させると共に、研磨後にウエハー表面に残存してエッチングを引き起こす原因となる強アルカリ性を示すイオンを効率的に除去する。【解決手段】 10.2以上のpHを有するコロイダルシリカ水溶液で半導体ウエハーの表面を研磨する第一工程と、2〜9のpHを有し且つ4〜500nmの粒子径を有する粒子の水性分散液を第一工程で研磨された表面に接触させる第二工程からなる半導体ウエハーの研磨方法。
請求項（抜粋）：
10.2以上のpHを有するコロイダルシリカ水溶液で半導体ウエハーの表面を研磨する第一工程と、2〜9のpHを有し且つ4〜500nmの粒子径を有する粒子の水性分散液を第一工程で研磨された表面に接触させる第二工程からなる半導体ウエハーの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 1/00
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 P
, B24B 1/00 A
