特許
J-GLOBAL ID：200903002128123022

2重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法

発明者：
ジェームス・エイ・ミスウッチ

ジェームス・エイ・ミスウッチ について

, 
ラマモーシー・ラメッシュ

ラマモーシー・ラメッシュ について

, 
アレハンドロ・ジィ・シュロット

アレハンドロ・ジィ・シュロット について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110272
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031815
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 導電性金属酸化物電極を埋め込みソース及びドレイン電極として組み込み、埋め込み酸化物チャネル設計を組み込む酸化物チャネルFET構造を提供する。【解決手段】 酸化物チャネル電界効果トランジスタ(OxFET)素子で使用される酸化物電極を形成する方法が開示される。先ず最初に絶縁酸化物基板120上に、導電性ペロブスカイト酸化物の2重層130,140を付着する。次に、電極形状を有するレジスト・パターンが、2重層上に画定する。上側酸化物層は基板まで達しない深さまでイオン・ミリングし、次に、下側導電性酸化物層の1部を除去するために、化学エッチングまたはRIEを使用する。それにより、ソース及びドレイン電極が画定され、埋め込みコンタクトとして使用される。
請求項（抜粋）：
第1及び第2の電極を形成する方法であって、A)基板を提供するステップと、B)前記基板上に下側導電性酸化物層を付着するステップと、C)前記下側導電性酸化物層上に上側導電性酸化物のコーティングを付着するステップと、D)前記上側導電性酸化物コーティングをパターニングすることにより、前記上側導電性酸化物コーティングを通じて、少なくとも前記下側導電性酸化物層の深さまで伸びるが、前記基板までは達せずに、前記下側導電性酸化物層の1部を露出するキャビティを形成するステップと、E)前記キャビティの底部から前記下側導電性酸化物層の前記露出部分を除去し、前記基板の領域を露出することにより、各々が前記下側及び上側導電性酸化物を含み、前記露出基板領域により、互いに電気的に及び横方向に分離される、第1及び第2の電極を形成するステップとを含み、前記第1の電極は前記基板の第1の領域を覆い、前記第2の電極は前記基板の第2の領域を覆う方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 39/22 ZAA
FI (9件)：
H01L 21/28 E ,  H01L 39/22 ZAA G ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/306 F
Fターム (40件)：
4M104AA09 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M113AB11 ,  4M113AD36 ,  4M113AD63 ,  4M113AD68 ,  4M113BA04 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113CA31 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  5F043AA21 ,  5F043BB14 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04 ,  5F110AA03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM