特許

J-GLOBAL ID：200903002128712834

電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器

発明者： 川田 浩孝
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273233
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100246
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタ素子のチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。また、透過型の電気光学装置の画素領域の開口率を十分に確保する。【解決手段】 半導体層1aのチャネル領域1a’は、延在部201を有する。延在部201の終端部は、コンタクトホール202に接続されている。このコンタクトホール202は、容量線3bに直接接続されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上に複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と蓄積容量とを有する電気光学装置であって、前記蓄積容量の電極となる容量線と前記トランジスタのゲート電極が同一の導電体層であって、前記トランジスタのチャネル領域となる半導体層の延在部は前記容量線に直接接続されてなることを特徴とする電気光学装置。

IPC (9件)：

G02F 1/1365 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 339 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 339 Z ,  G09F 9/30 349 Z ,  H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 612 Z

Fターム (98件)：

2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA40 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB67 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092NA07 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  2H092NA30 ,  2H092PA07 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092PA13 ,  5C094AA10 ,  5C094AA23 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094GB01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK06 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX32 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045CB05 ,  5F045HA15 ,  5F110AA15 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE45 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110NN43 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5G435AA03 ,  5G435AA16 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH11 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103709   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018098   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭57-132191
  
• 特開昭57-132191
  
• 特開昭57-132191
  
• 液晶パネル用基板およびその製造方法並びに液晶パネルおよび投写型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326255   出願人：セイコーエプソン株式会社