特許
J-GLOBAL ID:200903046198434421

液晶パネル用基板およびその製造方法並びに液晶パネルおよび投写型表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-326255
公開番号(公開出願番号):特開平10-170952
出願日: 1996年12月06日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 従来は、ドレイン側のコンタクトホールをドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせて形成していたため、開孔面積がかなり大きくなって液晶パネルの開口率が低下してしまうとともに、コンタクトホールの内側に形成される画素電極が信号線と接触してしまうという短絡欠陥が発生するという問題点があった。【解決手段】 画素電極に電圧を印加するスイッチング用の薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域となるポリシリコン層(3)の特にドレイン側の下方に、ポリシリコン層のような導電層からなるシート層(2)を形成しておくようにした。
請求項(抜粋):
基板上に画素電極がマトリックス状に配列形成されるとともに、各画素電極に対応して各々薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを介して前記画素電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、前記薄膜トランジスタの能動層となる半導体層の少なくとも前記画素電極との接続領域の下方に導電性のシート層を設けたことを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (6件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/28 U ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 619 B
引用特許:
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る