特許
J-GLOBAL ID：200903002173107720
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-218447
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064080
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】従来の半導体装置と同様に、トランスファーモールドによる封止ができ、一回のモールドで複数個の半導体装置が製造できる高信頼で低コストのチップサイズに略等しい半導体装置を提供する。【構成】同一の部品が複数連続したリードフレームを半導体素子1に固定し、半導体素子1の電極2とリード3を電気的に接続し、リード3の半導体素子1への固定面とは反対側の面に外部端子を格納する貫通穴9が形成された樹脂板8を接着することによってパッケージ表面に凹部を形成し、リードフレームによって金型内に半導体素子を保持し、樹脂板がパッケージ表面より露出するように樹脂封止してパッケージを形成し、凹部に外部端子6を設ける【効果】従来の製造設備を利用した半導体装置の大量生産が可能となり、半導体素子表面の露出面がなくなるので半導体装置の耐湿性が向上し、製造コストの増加を防ぐことができるチップサイズパッケージ(CSP)を提供できる。
請求項（抜粋）：
表面に電極が形成された半導体素子と、電極と電気的に接続される導電部材とを備え、これらの部材を樹脂で封止してパッケージとする半導体装置の製造方法において、半導体装置表面から前記導電部材まで達する凹部を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/28 J
