特許
J-GLOBAL ID：200903002182796083
半田バンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145192
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 簡単な工程で基板の電極形成面の反対面に導通不良のない半田バンプを形成できる半田バンプ形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板11に形成された電極12面の反対面上に基板11の貫通孔11aを介してこの電極12と導通する半田バンプ5’を形成するに際し、まず半田ボール5に導電性で半田ぬれ性の良い金属粉末を混合したフラックス14aを塗布する。次いでこの半田ボール5を電極12の形成面と反対面の貫通孔11a上に移載し、この後基板11を加熱することにより半田ボール5を溶融させて電極12と半田ボール5を貫通孔11aを介して導通させる。半田ボール5と電極12との間に隙間がある場合でも、半田ボール5が溶融した後には溶融半田は半田ぬれ性のよい金属粉末に導かれて電極表面に到達するため、導通不良を防止することができる。
請求項（抜粋）：
基板の電極形成面の反対面上に基板の貫通孔を介して前記電極と導通する半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、半田ボールに導電性で半田ぬれ性の良い金属粉末を混合したフラックスを塗布する工程と、前記フラックスが塗布された半田ボールを前記電極形成面と反対側の基板面に移載する工程と、前記半田ボールが移載された基板を加熱することによりこの半田ボールを溶融させて前記電極と半田ボールを前記貫通孔を介して導通させる工程とを含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。
引用特許：
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