特許

J-GLOBAL ID：200903002202464260

半導体素子および半導体集積回路

発明者： 井 野 恒 洋 ,  小 山 正 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-075376
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235704
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】ロジック動作がプログラム可能でかつ不揮発性記憶素子としても動作することが可能な半導体素子を提供することを可能にする。【解決手段】基板2と、基板上に設けられた第1絶縁膜4と、第1絶縁膜上に設けられた電気抵抗変化膜6と、電気抵抗変化膜の両側面のうちの一方の側面側の第1絶縁膜上に、電気抵抗変化膜の一方の側面に接して設けられた第1電極8と、電気抵抗変化膜の両側面のうちの他方の側面側の第1絶縁膜上に、電気抵抗変化膜の他方の側面に接して設けられた第2電極10と、電気抵抗変化膜上に設けられた第2絶縁膜12と、第2絶縁膜上に設けられた第3電極14と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対向する第1および第2の面と、前記第1および第2の面と異なる第3の面とを有する電気抵抗変化膜と、 前記電気抵抗変化膜の前記第1の面に接して設けられた第1電極と、 前記電気抵抗変化膜の前記第2の面に接して設けられた第2電極と、 前記電気抵抗変化膜の前記第3の面に接して設けられた絶縁膜と、 前記電気抵抗変化膜の前記第3の面に前記絶縁膜を挟んで設けられた第3電極と、 を備えていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/82

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 461 ,  H01L21/82 A ,  H01L21/82 F

Fターム (20件)：

5F064AA08 ,  5F064BB19 ,  5F064CC25 ,  5F064FF04 ,  5F064FF29 ,  5F064FF45 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064GG07 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プログラム可能な論理装置および再プログラム可能な論理において論理機能を実現する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293061   出願人：アルテラ・コーポレイション
• 可変抵抗素子および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-304438   出願人：松下電器産業株式会社