特許
J-GLOBAL ID:200903002219984128
薄膜作成装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
保立 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-332874
公開番号(公開出願番号):特開2001-156158
出願日: 1999年11月24日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 基板保持具に堆積した薄膜が剥離してパーティクルとなって基板に付着する問題を効果的に解決する。【解決手段】 成膜済みの基板9を基板保持具90から回収するアンロードロックチャンバー2と、未成膜の基板9を基板保持具90に搭載するロードロックチャンバー1との間のリターン移動路上には、膜除去チャンバー70がアンロードロックチャンバー2及びロードロックチャンバー1に対して気密に接続されている。膜除去チャンバー70内には、基板保持具90の表面の堆積膜をイオン衝撃によりスパッタエッチングにより除去する膜除去機構が設けられている。
請求項(抜粋):
真空中で基板の表面に所定の薄膜を作成する成膜チャンバーに対して大気側から未成膜の基板が成膜チャンバーに搬入される際に一時的に当該基板が位置するロードロックチャンバーと、大気側に成膜済みの基板が取り出される際に当該基板が一時的に位置するアンロードロックチャンバーとが、真空が連通するようにして気密に接続されており、基板を保持した基板保持具をロードロックチャンバー、成膜チャンバー、アンロードロックチャンバーの順に移動させる移動機構が設けられた薄膜作成装置において、前記アンロードロックチャンバーで成膜済みの基板が回収された基板保持具を前記ロードロックチャンバーに戻すリターン移動路が設定されており、このリターン移動路上には、基板保持具の表面に堆積した膜を除去する膜除去機構が設けられていることを特徴とする薄膜作成装置。
IPC (5件):
H01L 21/68
, B01J 19/00
, B08B 7/00
, C23C 14/00
, H01L 21/3065
FI (5件):
H01L 21/68 N
, B01J 19/00 K
, B08B 7/00
, C23C 14/00 B
, H01L 21/302 N
Fターム (36件):
3B116AA47
, 3B116AB13
, 3B116AB42
, 3B116BC00
, 4G075AA24
, 4G075AA37
, 4G075AA57
, 4G075BA05
, 4G075BC02
, 4G075BC06
, 4G075CA02
, 4G075CA05
, 4G075CA63
, 4G075ED04
, 4K029DA09
, 4K029FA00
, 4K029JA01
, 5F004AA15
, 5F004AA16
, 5F004BB15
, 5F004BC06
, 5F004BD05
, 5F031CA01
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031GA43
, 5F031HA24
, 5F031HA29
, 5F031HA45
, 5F031MA06
, 5F031MA09
, 5F031MA29
, 5F031MA31
, 5F031NA05
, 5F031NA08
, 5F031PA26
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
特開平3-166373
-
インライン式成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-099648
出願人:アネルバ株式会社
-
連続式成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-326725
出願人:株式会社日立製作所, 新明和工業株式会社
-
半導体薄膜の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-041118
出願人:三洋電機株式会社
-
特開昭63-161636
-
枚葉式真空処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-347399
出願人:日本真空技術株式会社
-
特開平4-254349
全件表示
前のページに戻る