特許

J-GLOBAL ID：200903002233091748

多結晶半導体薄膜、その形成方法、多結晶半導体TFT、およびTFT基板

発明者： 増茂 邦雄 ,  欅田 昌也
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254204
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087730
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】高性能の多結晶シリコン半導体TFTを形成する。【解決手段】絶縁基板上に形成されたストライプ状の多結晶半導体薄膜において、等方的結晶粒と、ストライプの長手方向にほぼ平行に配列した筋状結晶粒とが存在し、筋状結晶粒の面積が等方的結晶粒の面積より大きいことを特徴とする多結晶半導体薄膜。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたストライプ状の多結晶半導体薄膜において、等方的結晶粒と、ストライプの長手方向にほぼ平行に配列した筋状結晶粒とが存在し、筋状結晶粒の面積が等方的結晶粒の面積より大きいことを特徴とする多結晶半導体薄膜。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (8件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269562   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 多結晶シリコン層の形成方法及びそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269563   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-174577   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社