特許
J-GLOBAL ID：200903002255592775
半導体装置の層間絶縁膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131419
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330421
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の信頼性に影響を及ぼすことなく低誘電率膜を用いた層間絶縁膜の剛性の向上を図る。【構成】 半導体装置の設けられる配線42の周囲を覆う状態に形成した層間絶縁膜13であって、この層間絶縁膜13は、配線42の周囲および配線42間に形成した誘電率が1より大きく3.5以下の第1〜第4低誘電率膜21〜24と、配線42の上方および下方の第1,第2低誘電率膜21,22 および第3,第4低誘電率膜23,24 のうちの少なくとも一方の低誘電率膜中または低誘電率膜を介して形成した支持層( 第1,第2支持層31,32 )からなるものである。
請求項（抜粋）：
半導体装置に設けられる配線の周囲を覆う状態に形成した層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、前記配線の周囲および前記配線間に形成したもので誘電率が1より大きく3.5以下の低誘電率膜と、前記配線の上方の前記低誘電率膜および前記配線の下方の前記低誘電率膜のうちの少なくとも一方の低誘電率膜中または該低誘電率膜を介して形成した支持層とを備えたことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
H01L 21/90 S
, H01L 21/312 A
, H01L 21/90 M
