特許
J-GLOBAL ID：200903099171420379
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302704
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 低い誘電率の層間絶縁膜を形成して配線膜間の容量を低減し、半導体装置における信号の伝搬速度を向上する。【構成】 複数の半導体素子が表面に形成される半導体基板と、半導体基板上に形成されて半導体素子同士或いは半導体素子と外部端子とを接続する複数の配線膜と、配線膜及び半導体基板上に形成されて配線膜相互間を絶縁する弗素を含むシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に形成されて水分の侵入を防止する窒素を含むシリコン酸化膜と、を有する。【効果】 低誘電率の層間絶縁膜が得られる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が表面に形成される半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体素子を接続して電気回路を形成する複数の配線膜と、前記配線膜相互間を絶縁する、弗素を含むシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜に接して形成されて、前記シリコン酸化膜中への水分の侵入を防止する、絶縁性の防水膜と、を有する半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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