特許

J-GLOBAL ID：200903002293244888

配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者： 柳 春 基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267420
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗物質からなると同時に、低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその形成 方法と、優れた接触特性を有する配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を製造する方法を提供し、トランジスタ基板の製造方法を単純化する。【解決手段】 基板上部に金属で配線を形成する段階と、配線を覆う無機絶縁膜を積層する段階と、熱処理工程を実施する段階と、無機絶縁膜をパターニングして配線を露出する接触孔を形成する段階と、配線と電気的に連結される導電層を形成する段階とを含む配線の接触構造形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上部に金属で配線を形成する段階;前記配線を覆う無機絶縁膜を積層する段階;熱処理工程を実施する段階;前記無機絶縁膜をパターニングして前記配線を露出する接触孔を形成する段階;前記配線と電気的に連結される導電層を形成する段階;を含む配線の接触構造形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 612 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086292   出願人：三菱電機株式会社, 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
• 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083260   出願人：株式会社東芝