特許
J-GLOBAL ID：200903002300789763

温度特性及びDCバイアス特性に優れた誘電体磁器

発明者：
神垣 耕世

神垣 耕世 について

, 
伊東 裕見子

伊東 裕見子 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 郁男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089952
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284571
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】 この誘電体磁器は、Aサイトの一部がCa及びSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCST型結晶粒子)を主成分として含有し、該BCST結晶粒子は、Mg及び希土類元素が粒子中心に比して粒子表面側に多く固溶したコアシェル構造を有し且つ0.2〜0.6μmの平均粒径を有していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
Aサイトの一部がCa及びSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCST型結晶粒子)を主成分として含有し、該BCST結晶粒子は、Mg及び希土類元素が粒子中心に比して粒子表面側に多く固溶したコアシェル構造を有し且つ0.2〜0.6μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (2件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303
FI (2件)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303
Fターム (27件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA07 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB43
引用特許：
審査官引用 (6件)
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