特許
J-GLOBAL ID:200903002337440701

高周波半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 恵一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-087131
公開番号(公開出願番号):特開平9-260583
出願日: 1996年03月18日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】【課題】 実装基板に半田バンプを用いて高周波回路チップを実装する半導体装置において、高周波回路の特性劣化を防ぐと共に半田バンプの高さの制御を不要とする高周波半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 実装基板(1)の高周波回路チップ(2)と対向する位置に空隙(7)をもうける。
請求項(抜粋):
実装基板に半田バンプ(3)を用いて高周波回路チップ(2)をフリップチップ実装する半導体装置において、上記実装基板の該高周波回路チップ(2)と対向する位置に空隙(7)を設けたことを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311
FI (2件):
H01L 25/04 Z ,  H01L 21/60 311 S
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置実装用基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-206460   出願人:シヤープ株式会社
  • 電子回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-175252   出願人:松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-067127   出願人:松下電器産業株式会社
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