特許
J-GLOBAL ID:200903002343339931
メタルベースBGAパッケージとその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-294986
公開番号(公開出願番号):特開2000-124349
出願日: 1998年10月16日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層上の銅箔層に回路が形成されている半導体用メタルパッケージにおいて、ビアホール上下配線の接続と半田ボール形成を同一工程で行い、メタルベースBGAパッケージを提供する。【解決手段】 支持体のメタルシートに耐熱性熱可塑樹脂を必須成分とする厚さ50μm以内の絶縁層を介して銅箔層を積層したメタルベースBGAパッケージにおいて、ビアホール相当部分の銅箔層をエッチング、露出した耐熱樹脂層をレーザーでエッチングする。銅箔層に回路を形成した後、少なくともビアホール周辺の銅箔層及びビアホールのメタルシート部分に無電解Ni、Auメッキを施す。次にBGAパッケージ用の半田ボールを搭載して、その半田ボール高さをビアホールの無い部分と実質的に同等とし、メタルシートと銅箔配線を接続する。
請求項(抜粋):
ベース金属の表面に耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層を形成し、その絶縁層の上に形成された銅箔層に半導体搭載用回路を形成してなるメタルベースBGAパッケージにおいて、ニッケル金メッキされたボールパッドとビアホール内のニッケル金メッキされたベース金属とを半田ボールで接続することを特徴とするメタルベースBGAパッケージ。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H05K 1/05
, H05K 1/18
FI (3件):
H01L 23/12 L
, H05K 1/05 A
, H05K 1/18 L
Fターム (24件):
5E315AA03
, 5E315AA05
, 5E315AA11
, 5E315BB04
, 5E315BB16
, 5E315DD15
, 5E315DD17
, 5E315DD20
, 5E315DD21
, 5E315GG20
, 5E336AA04
, 5E336BB02
, 5E336BB03
, 5E336BB05
, 5E336BB16
, 5E336BB19
, 5E336BC32
, 5E336BC34
, 5E336CC31
, 5E336CC51
, 5E336CC55
, 5E336EE03
, 5E336GG05
, 5E336GG30
引用特許: