特許

J-GLOBAL ID：200903002377051589

ハーフメタルマグネタイト膜を固定層化させたTMR素子

発明者： 添谷 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190586
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008104
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】従来構造より高出力なスピンバルブタイプのTMR素子を提供することにある。さらには、上記TMR素子を用いた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】少なくとも、貴金属膜50と、スピネル反強磁性膜300と、ハーフメタルマグネタイト膜200とを順次積層した磁性積層膜を含むTMR素子構成とする。

請求項（抜粋）：

反強磁性膜と強磁性膜とを順次積層してなる磁性積層膜であって、上記反強磁性膜、強磁性膜は、それぞれ、スピネル構造の結晶構造を有する反強磁性膜、ハーフメタルマグネタイト膜であって、上記反強磁性膜の下地膜に貴金属膜を配置したことを特徴とする磁性積層膜。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20 ,  G01R 33/06 R

Fターム (17件)：

2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01 ,  5E049HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265663   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344066   出願人：日本電気株式会社