特許
J-GLOBAL ID：200903000898507055
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265663
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156357
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 所望の出力電圧値を得るために印加電圧を増やしても磁気抵抗変化率があまり減少せず、書き込みによって磁化固着層の一部の磁気モーメントが回転して出力が徐々に低下する問題がなく、さらに反転磁場を自由に設計できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層(11)/第1の強磁性層(12)/第1の誘電体層(13)/第2の強磁性層(14)/第2の誘電体層(15)/第3の強磁性層(16)/第2の反強磁性層(17)が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、フリー層である第2の強磁性層(14)がCo基合金またはCo基合金/Ni-Fe合金/Co基合金の三層膜からなり、第1ないし第3の強磁性層にトンネル電流を流す。
請求項（抜粋）：
第1の反強磁性層/第1の強磁性層/第1の誘電体層/第2の強磁性層/第2の誘電体層/第3の強磁性層/第2の反強磁性層が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層がCo基合金またはCo基合金/Ni-Fe合金/Co基合金の三層膜からなり、前記第1ないし第3の強磁性層にトンネル電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
