特許
J-GLOBAL ID：200903002420629930

半導体発光素子および光送信用モジュールおよび光通信システム

発明者：
上西 盛聖

上西 盛聖 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256107
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073584
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 窒素(N)とその他のV族元素を含む量子井戸活性層を有する混晶半導体からなる半導体発光素子において、窒素(N)を含みリン(P)を含まない層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない層とを歪補償層の構造に含ませる場合に、しきい電流密度の上昇を抑え、良好な特性を得る。【解決手段】 GaAs基板上に形成されている半導体発光素子において、窒素(N)とその他のV族元素を含む圧縮歪を持つ混晶半導体からなる量子井戸活性層を含んでいる活性領域を有し、活性領域には、さらに、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とを少なくとも含んだ多層構造からなる引っ張り歪を有する歪補償層が設けられており、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とは、直接界面を接しない層構成となっている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に形成されている半導体発光素子において、窒素(N)とその他のV族元素を含む圧縮歪を持つ混晶半導体からなる量子井戸活性層を含んでいる活性領域を有し、活性領域には、さらに、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とを少なくとも含んだ多層構造からなる引っ張り歪を有する歪補償層が設けられており、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とは、直接界面を接しない層構成となっていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/183
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/183
Fターム (12件)：
5F173AA01 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC52 ,  5F173AF05 ,  5F173AF15 ,  5F173AH04 ,  5F173AJ03 ,  5F173AP05 ,  5F173AR23 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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