化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185497
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】半導体基板にIII-(N、V)族化合物半導体結晶を成長させる際、界面における窒素のパイルアップの抑制、界面非発光準位の低減、界面付近の窒素組成の均一化を図る。【解決手段】第一のIII-V族化合物半導体の上方に、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素と窒素とを共にV族組成として含む第二のIII-V族化合物半導体を結晶成長する方法において、該第一のIII-V族化合物半導体上に、前記第二のIII-V族化合物半導体の窒素原料に対する反応性を制御する第三のIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成した後、引き続いて第二の化合物半導体を形成してなる。

請求項（抜粋）：

第一のIII-V族化合物半導体の上方に、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素と窒素とを共にV族組成として含む第二のIII-V族化合物半導体を結晶成長する方法において、該第一のIII-V族化合物半導体上に、前記第二のIII-V族化合物半導体の窒素原料に対する反応性を制御する第三のIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成した後、引き続いて第二の化合物半導体を形成してなることを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 , H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 H , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 5/343

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077BE42 , 4G077BE45 , 4G077BE47 , 4G077BE48 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077EC03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA05 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA65 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA22 , 5F103AA05 , 5F103DD05 , 5F103DD08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レ-ザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-061418 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-001382 出願人：日本電気株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-123990 出願人：株式会社リコー

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