特許
J-GLOBAL ID：200903054964519992
多重量子井戸構造光半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068631
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270787
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 歪補償MQWにおいて、大きな歪量においても結晶性を向上し、かつホールキャリアの均一注入を実現し得る光半導体装置を提供する。【解決手段】 n型InP基板上にn-InGaAsPガイド層、歪MQW層、InGaAsPガイド層がある半導体レーザ用の活性層において、圧縮歪InAsyP1-yウェル層6と引っ張り歪In1-xGaxAsPバリア層7との間に薄膜の無歪In1-xGaxAsyP1-y中間層8を挿入し、ウェル層6と中間層8の組成yを等しくするとともに、バリア層7と中間層8の組成xを等しくする。これにより、MO-VPE成長時の界面切り換えが単純になり、結晶性が向上する。また、圧縮歪ウェルと引っ張り歪バリアのライトホールバンド端を等しくし、歪MQW層内のライトホール準位を単一にしてライトホールがバルクライクに振る舞うようにする。
請求項（抜粋）：
基板上に、III -V族化合物半導体からなる井戸層および障壁層を有する多重量子井戸構造が設けられた光半導体装置において、前記井戸層と障壁層の間に中間層が設けられ、前記井戸層と前記中間層はこれらの層を構成するIII -V族化合物半導体のV族組成比が等しく、前記障壁層と前記中間層はこれらの層を構成するIII -V族化合物半導体のIII 族組成比が等しいことを特徴とする多重量子井戸構造光半導体装置。
引用特許：
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