炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312008
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】チャネル幅の微細な制御が可能となる、新規な構造の炭化珪素静電誘導トランジスタ、ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】トレンチ構造を利用し、チャネル層11を第1のゲート領域10と第2のゲート領域12がサンドイッチ状に包むチャネル領域14の構造を有し、第1のゲート領域10と第2のゲート領域12に同一の電圧を印加する手段を設けた炭化珪素静電誘導トランジスタ、また、当該素子構造を、ドリフト層2のエピ層上に第一のゲート層10となるエピ層を形成してから、チャネル領域をトレンチ状にエッチングし、その上に、チャネル層11となる第2のエピ層、さらに第2のゲート領域12をエピ層またはイオン注入によって形成する工程を用いる製造方法とする。

請求項（抜粋）：

第一導電型ドリフト層上にトレンチ構造により分離された第二導電型第一のゲート領域と、該第一のゲート領域上部に第一導電型チャネル層と第二導電型第二のゲート領域が設けられ、前記第一導電型ドリフト層と第一導電型チャネル層は前記トレンチ構造底部で接触し、該トレンチ構造側壁部において、前記第一導電型チャネル層は前記第二導電型第一のゲート領域と前記第二導電型第二のゲート領域によりサンドイッチ状に挟まれた構造を有し、前記チャネル層を流れる電流を制限すべく前記第一のゲート領域および前記第二のゲート領域に電圧を印加する手段を設けたことを特徴とする炭化珪素静電誘導トランジスタ。

Fターム (9件)：

5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭53-104182
炭化けい素縦型FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183721 出願人：富士電機株式会社
炭化けい素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-100026 出願人：株式会社日立製作所

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