特許

J-GLOBAL ID：200903002438290972

炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶

発明者： 小栗 英美 ,  廣瀬 富佐雄 ,  久野 裕也 ,  永久保 雅夫 ,  恩田 正一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234800
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 成長するSiC単結晶に圧縮や拡大による歪が生じて、異種多形が発生するのを防止し、高品質かつ低抵抗率なSiC単結晶を得る。【解決手段】 黒鉛容器1内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板3と、炭化珪素原料粉末5を配置する際、炭化珪素原料粉末5に砒素または砒素化合物6を添加する。炭化珪素原料粉末5を加熱昇華させた原料ガス5aに、砒素または砒素化合物を含むガス6aが混入した混合ガスが、炭化珪素単結晶基板3に供給されることによって、砒素を含有する炭化珪素単結晶4aが成長する。砒素はn型ドーパントとして炭化珪素単結晶4aの抵抗率を制御するととともに、珪素と同等の原子半径を有しているため、結晶を圧縮または拡大させず、結晶内歪を生じにくい。その結果、異種多形の発生を抑制し、所望の抵抗率でかつ良質の炭化珪素単結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

種結晶となる炭化珪素単結晶基板上に、炭化珪素原料ガスを供給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、上記炭化珪素原料ガスに砒素または砒素化合物を添加することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA01 ,  4G077DA19 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F103AA01 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-080197
  
• 特開昭64-042813
  
• 無色炭化ケイ素結晶の成長
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-527754   出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
• 炭化珪素バルク単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-161226   出願人：シャープ株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-005018   出願人：昭和電工株式会社