特許
J-GLOBAL ID：200903058697760753
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005018
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199395
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】【課題】 昇華法により結晶欠陥、インクルージョンの少ない高品質の炭化珪素単結晶の製造法を提供する。【解決手段】 種基板結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華法に於いて、金属炭化物で被覆されたルツボを用い、該ルツボ内の珪素原料からの加熱蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に前記種結晶基板上に到達させて炭化珪素単結晶を析出させる方法である。
請求項（抜粋）：
種基板結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華法に於いて、金属炭化物で被覆されたルツボを用い、該ルツボ内の珪素原料からの加熱蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に前記種結晶基板上に到達させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
