特許
J-GLOBAL ID：200903002440674788
SiC基板のケモメカニカル研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-251168
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067166
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】コロイダルシリカを砥粒とし、SiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法で、所定の平坦度を得るための高効率の研磨方法を提供する。【解決手段】コロイダルシリカを砥粒とし、回転する研磨バッドに研磨剤を滴下し、被研磨材のSiC基板を当該研磨パッドに所定の圧力で押圧してSiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法において、第1の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨し、次に、前記第1の砥粒分布よりシャープな第2の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨する。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
コロイダルシリカを砥粒とし、回転する研磨バッドに研磨剤を滴下し、被研磨材のSiC基板を当該研磨パッドに所定の圧力で押圧してSiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法において、
第1の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨し、
次に、前記第1の砥粒分布よりシャープな第2の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨することを特徴とするケモメカニカル研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CA05
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
