特許
J-GLOBAL ID：200903002447337337

有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法

発明者：
マイケル・イザ

マイケル・イザ について

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トロイ・ジェー・ベーカー

トロイ・ジェー・ベーカー について

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ベンジャミン・エー・ハスケル

ベンジャミン・エー・ハスケル について

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スティーブン・ピー・デンバース

スティーブン・ピー・デンバース について

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シュウジ・ナカムラ

シュウジ・ナカムラ について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について

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独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-530223
公開番号（公開出願番号）：特表2009-508336
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
半極性窒化物半導体薄膜の成長の前に基板上に、窒化物の核生成層または緩衝層を成長することを特徴とする、基板上に有機金属化学気相成長法 (MOCVD)によって半極性窒化物半導体薄膜を成長するための方法。
請求項（抜粋）：
基板上に有機金属化学気相成長法 (MOCVD)によって半極性窒化物半導体薄膜を成長する方法であって、 (a)基板上に窒化物の核生成層あるいは緩衝層を成長するステップと、 (b)前記窒化物の核生成層あるいは緩衝層上に半極性窒化物半導体薄膜を成長するステップとを備えることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (26件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA26 ,  4K030BA38 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045EB15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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