特許
J-GLOBAL ID：200903002474266387

多層回路基板およびその製造方法

発明者：
谷 元昭

谷 元昭 について

, 
佐々木 伸也

佐々木 伸也 について

, 
中川 香苗

中川 香苗 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-001499
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150221
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および/またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、 当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、 当該絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、 次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる ことを含む、多層回路基板の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/38 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/46 ,  C23C 18/30 ,  C25D 5/56
FI (6件)：
H05K3/38 A ,  H05K3/18 A ,  H05K3/18 E ,  H05K3/46 B ,  C23C18/30 ,  C25D5/56 A
Fターム (60件)：
4K022AA13 ,  4K022AA15 ,  4K022AA18 ,  4K022AA19 ,  4K022AA26 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA12 ,  4K022CA14 ,  4K022CA17 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022EA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024BA09 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024CA02 ,  4K024EA02 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA16 ,  5E343BB04 ,  5E343BB71 ,  5E343CC32 ,  5E343CC52 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE22 ,  5E343EE37 ,  5E343ER01 ,  5E343GG02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346CC41 ,  5E346CC60 ,  5E346DD25 ,  5E346DD33 ,  5E346EE09 ,  5E346EE18 ,  5E346EE33 ,  5E346EE38 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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