窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049377
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 In組成が高く、かつ結晶性が良好な活性層と結晶性の良好なクラッド層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】第1の成長温度でInを含む活性層4を成長させる工程と、第1のクラッド層5を成長させる工程と、第1の成長温度よりも高い第2の成長温度でAlを含む第2のクラッド層6を成長させる工程と、を少なくとも含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、第1のクラッド層5を、活性層4の成長完了時点からそのまま継続して結晶材料を活性層4の表面に成長させることにより、活性層4を構成しているInや窒素等の蒸発を防止する。

請求項（抜粋）：

第1の成長温度でInを含む活性層を成長させる工程と、前記活性層の表面に第1のクラッド層を成長させる工程と、前記第1の成長温度よりも高い第2の成長温度でAlを含む第2のクラッド層を成長させる工程と、を少なくとも含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記第1のクラッド層を、前記活性層の成長完了時点からそのまま継続して前記第1のクラッド層の結晶材料の成長により形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203055 出願人：ソニー株式会社
3-5族化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-213280 出願人：住友化学工業株式会社

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