特許
J-GLOBAL ID：200903038143522809
半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203055
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032349
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度で別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaInN/GaN量子井戸構造を形成する場合に、700〜850°Cの成長温度でGaInN層5を成長させた後、このGaInN層5の成長温度と同等の成長温度でGaNキャップ層6を成長させてGaInN層5の表面を覆う。GaNキャップ層6の厚さは30nm以上とする。この後、成長温度を例えば1000°Cまで上昇させてGaN層7を成長させる。GaNキャップ層6の代わりにAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nキャップ層(ただし、0<x≦1)を用いてもよい。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlx Ga1-x N(ただし、0≦x≦1)からなる保護膜を気相成長させるようにしたことを特徴とする半導体の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01S 3/18
